电源接口

|电源接口|-|-|-|-|-| |-|-|-|-|-|-| |V_BAT|35,36|PI|模块主电源输入|Vmax=4.2V Vmin=3.1V Vnorm=3.6V|外部电源最大需要提供1A电流| |VDDIO_3V|7|po|电源输出|Vnorm=3v,Imax=80mA|仅用于电平转换与io供电,不使用则悬空| |VDD_BK|22|PI|电源输入|-|GNSS备份电源的输入,1.4~3.6v| ## 1. V_BAT AM21E_V5 模块电源供电的设计方式取决于电源输入电压。按照不同电源输入,分为以下三类: - 3.1V-4.2V 电源输入(典型值 3.8V,例如手机电池供电) - 4.3V-5.5V 电源输入(典型值 5.0V,例如电脑 USB 供电) - 5.5V-24V 电源输入(典型值 12V,例如车载电源供电) ### 1.1 3.3V-4.2V电压输入 3.3V-4.2V 输入设计建议如下: ![image.png](https://cos.easydoc.net/68658482/files/kgbmxfm6.png) 模块供电最大输入电压 4.2V,典型值为 3.6V; - D101 是 TVS 管,保护电压不能高于模块最高承受电压,需要靠近电源输入接口放置,确保电源浪涌 电压进入到后端电路前即被钳位,保护后端器件及模块; - C101 可选择大容量的铝电解电容(470μF)或者钽电容(220μF),可以提高电源的瞬间大电流续流能 力,耐压值大于电源电压的 1.5 倍; - C102 是陶瓷电容,可以提高电源的瞬间大电流续流能力,平滑供电电源的电压波动; - C103、C104、C105 是低 ESR 的旁路电容,需要靠近模块放置,滤除电源中高频干扰。 若需要控制电源供电,推荐如下电路设计: ![image.png](https://cos.easydoc.net/68658482/files/kgbn1270) - Q101 选择增强型 P-MOSFET,要选择耐压高,漏极电流更高,直流电阻低的器件; - Q102 选择普通 NPN 三极管,或者 NPN 数字三极管(不需要 R102/R103)。当选择普通 NPN 三 极管时请注意 R102/R103 参数取值,尤其考虑到低温下三极管基极导通电压会上升,确保设计上 裕量充足。 - D102 是 TVS 管,需要靠近电源输入接口放置,确保电源浪涌电压进入到后端电路前即被钳位, 保护后端器件及模块; - C108 应靠近模块放置,可选择大容量的铝电解电容(470μF)或者钽电解电容(220μF),可以提高电 源的瞬间大电流续流能力,耐压值大于电源电压的 1.5 倍; - C109 是陶瓷电容,可以提高电源的瞬间大电流续流能力,平滑供电电源的电压波动; - C110、C111、C112 是低 ESR 的旁路电容,需要靠近模块放置,滤除电源中高频干扰; ### 1.2 4.3V-5.5V 输入 ![image.png](https://cos.easydoc.net/68658482/files/kgbnbxuy) - 电源输出与 VBAT 电压相近,选择 LDO 设计比较简单且效率较高; - U1 选择最大输出电流可到 1A 的 LDO,可以保证模块的正常性能;推荐 MIC29302WU - C112、C113 靠近 U1 放置,用于 U1 电源输入管脚滤波; - D103 是 TVS 管,需要靠近电源输入接口放置,确保电源浪涌电压进入到后端电路前即被钳位,保护后端器件及模块; - C114 应靠近模块放置,可选择大容量的铝电解电容(470μF)或者钽电解电容(220μF),可以提高电 源的瞬间大电流续流能力,耐压值应大于电源电压的 1.5 倍; - C115 是陶瓷电容,可以提高电源的瞬间大电流续流能力,平滑供电电源的电压波动; - C116、C117、C118 是低 ESR 的旁路电容,需要靠近模块放置,滤除电源中高频干扰; ### 1.3 5.5V-24V 输入 5.5V-24V 输入设计建议: ![image.png](https://cos.easydoc.net/68658482/files/kgbn35ef) - 电源输入与 VBAT 相差大,应选择 DC-DC,效率更高,最大输出电流至少要达到 1A; - DC-DC 建议选用 500 kHz 或更高的开关频率; - C119、C120、C121 为输入端滤波电容; - L101 功率电感的取值与开关频率的设定相关,具体请参考该器件的规格书。 - DC-DC 的开关频率选择与整机性能有关,可能会产生 EMC 干扰; - 针对汽车电池(铅酸蓄电池),输入端应添加电源浪涌保护,器件耐压值应大于 42V。 - D104 是 TVS 管,需要靠近电源输入接口放置,确保电源浪涌电压进入到后端电路前即被钳位, 保护后端器件及模块; - C125、C126 应靠近模块放置,可选择大容量的铝电解电容(470μF)或者钽电解电容(220μF),建议 C125 选用470uF,C126 选用 100uF,可以提高电源的瞬间大电流续流能力,耐压值应大于电源电压 的 1.5 倍; - C127 是陶瓷电容,可以提高电源的瞬间大电流续流能力,平滑供电电源的电压波动; - C128、C129、C130 是低 ESR 的旁路电容,需要靠近模块放置,滤除电源中高频干扰。 ### 1.4 PCB 布局外部 供电电源在输出端必须放置低 ESR 电容器,抑制尖峰电流。模块电源输入端放置 TVS 管,抑制电压尖峰,保护后端器件。电路设计固然重要,但是器件布局和走线也同样重要。下面概括电源设计中的 几个要点: - TVS 可吸收瞬时大功率脉冲,钳位响应时间极短。TVS 应尽量靠近接口处放置,确保浪涌电压可 以在脉冲耦合到邻近 PCB 导线之前即被钳位; - 滤波电容需要靠近模块电源引脚放置,滤除电源中的高频噪声信号; - 模块主电源回路,PCB 走线宽度要确保能安全通过 1A 电流,且不能有明显的回路压降。要求 PCB 走线宽度至少为 1mm,保证电源部分的地平面尽量完整。尽量使电源走线短而粗; - 噪声敏感电路应该远离电源电路,如音频电路/射频电路等等,尤其是使用 DC-DC 电源更应该特 别注意; - DC-DC 电源 SW 管脚电压频率较高,应该确保环路最小。敏感器件应远离 SW 引脚,以防噪声耦 合; - 反馈器件应尽可能靠近 FB 引脚和 COMP 引脚放置; - 芯片 GND 引脚和底部焊盘要保证接地,确保散热良好及隔离噪声。 ## 2. VDDIO_3V AM21E_V5 模块提供 1 路 VDDIO_3V 输出,可提供 3.0V 电压,最大输出电流为 80mA。 VDDIO_3V 无需控制,模块唤醒与工作状态下自动打开, 外部主控可以读取 VDDIO_3V 的电压来判断模块是否开机。 建议 VDDIO_3V 仅用于接口电平转换和 IO 口供电,不作其它用途,使用时需增加 ESD 保护。 ## 3. VDD_BK VDD_BK 为 GPS 芯片后备电源输入接口,如果外接纽扣电池作为备份电源对 GNSS 芯片的备份区域供电,可在模块电源掉电的情况下为备份电路供电。 即使断开模块电源,仍能保存星历信息,在两小时内实现热启动 GNSS 功能,1 秒定位。且流耗仅为 8~10μA。如不需外接备份电源,此接口需悬空处理。 ![image.png](5)